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CJD122 BK /达林顿晶体管 DARLINGTON 100V 8A
CJD122 BK的规格信息
CJD122 BK的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:8 A

最大集电极截止电流:10 uA

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:CJD1

封装:Bulk

高度:2.75 mm

长度:6.8 mm

宽度:5.7 mm

商标:Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:100, 1000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

商标名:DPAK POWER

单位重量:260.400 mg

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Mouser 贸泽电子		CJD122 BKCentral Semiconductor达林顿晶体管 DARLINGTON 100V 8A2,000:¥3.6838
10,000:¥3.5369
25,000:¥3.4352
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